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本文利用Comsol Multiphysics多物理场仿真软件，电镀模块，三次电流分布-变形几何等多物理场耦合，系统研究在含氯离子的三种添加剂体系（Cl⁻-Sup；Cl⁻-Sup-Acc；Cl⁻-Sup-Acc-Lev）中，通过模拟各添加剂组分在TSV铜电沉积过程中的作用机理可能性及其导致的填充模式演变。 通过数值模拟，对比分析了三种添加剂体系下的TSV填充机制。表格中的几种添加剂作用机理模型仿真结果显示在深宽比为10：1（100um：10um ）TSV中部分模型中的镀层能实现bottom-up生长趋势，并针对性地提出了基于分步电流控制的Bottom-up填充优化方案。此外，还探究了不同因素对填充生长趋势的影响，例如：添加剂表面作用机理、交换电流密度修正作用机理、via的几何尺寸、添加剂浓度、速度场等。