Semiconductor Module

Pour une Analyse Détaillée des Composants Semiconducteurs

Semiconductor Module

Fonctionnement d'un transistor lorsque la tension de grille appliquée active le dispositif, puis détermine le courant de saturation du drain.

MOSFET, MESFET et Diodes Schottky

Le Semiconductor Module permet une analyse détaillée du fonctionnement de composants semiconducteurs. Le module repose sur les équations de dérive-diffusion et sur des modèles de transport isothermes et non isothermes. Grâce à lui, vous pouvez simuler une gamme de composants usuels : transistors à effet de champ à semiconducteur métallique (MESFET), transistors bipolaires, transistors à effet de champ à semiconducteur métal-oxyde (MOSFET), diodes Schottky, thyristors et jonctions P-N.

Les effets multiphysiques influencent les performances des composants semiconducteurs. Le fabrication des semiconducteurs s'effectue généralement à de hautes températures. Par conséquent, des contraintes d'origine thermique peuvent apparaitre dans les matériaux. De plus, ces composants à haute puissance peuvent générer une quantité considérable de chaleur. Le Semiconductor Module permet de modéliser un composant semiconducteur dans l'interface de COMSOL et d'intégrer facilement des effets physiques variés. Vous pouvez manipuler les équations des modèles à tout moment et êtes entièrement libre de préciser les effets non prédéfinis dans le module.

Breakdown in a MOSFET

DC Characteristics of a MOS Transistor (MOSFET)

P-N Junction Benchmark Model

Caughey-Thomas Mobility in a Semiconductor

P-N Junction Diode with External Circuit

Lombardi Surface Mobility in a Semiconductor

Bipolar Transistor

Heterojunction Benchmark